Hersteller Produktnummer:
BSS209PW L6327
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS209PW L6327-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 580mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Inventar:
12858390
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSS209PW L6327 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
580mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 580mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 3.5µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
89.9 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT323
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS209PW L6327-DG
BSS209PWL6327
SP000245422
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
NVB6410ANT4G
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
NTD20P06L-001
MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
